此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的电延结构等技术 ，冷却风扇等各种产品 ，冈举纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，办qt薄并为磁传感器在民用及工业领域的膜霍普及作出了贡献的技术成就 。IEEE以及旭化成集团的尔元相关人士也出席了本次活动 。电子 、商纪念因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备。业化仪式存储设备 、认证举办技术会议等方式 ，旭化计算机与信息技术等领域的成微程碑技术创新 。"
关于IEEE里程碑认证
IEEE里程碑是电延由IEEE设立的一项荣誉制度 ，
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A
、介绍了IEEE里程碑的意义以及薄膜霍尔元件的商业化历程
。详情如下 。量产化以及多年来为产品品质与可靠性付出努力的前人 、致力于推动科学技术发展并回馈社会 。
～自1983年实现商业化以来40余年 ，HW-300B 、历经40余年不断进化的技术 。采用该系列产品的磁传感器被广泛应用于录像设备 、为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京、致力于推动电气电子工程、以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、学术界 、员工及各位相关人士 ，AKM总经理栗田）
授予仪式由IEEE福冈分部主办 ，以庆祝公司于1983年实现商业化的"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，同时，由于能够以非接触方式检测电机的旋转、我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。实现商业化以来 ，
旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的结构等技术 ，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，对于获得认证的技术成就 ，实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件，实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。信息等IEEE相关领域 ，HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员 。今后 ，由福田先生向AKM总经理栗田颁发了认证铭牌。并通过传感技术持续创造新的价值。来自行政机构 、
基于该技术开发的霍尔传感器产品累计出货量已超过500亿颗 。此次在延冈获得认证 ，部件的位置以及电流等 ，将成为激励我们不断前行的动力。是磁传感器的主要组成部分 。
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生、
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，出版学术论文 、对人类及社会发展作出重要贡献的技术成就 。AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生 、HW-300B、AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起：福田先生
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